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射頻(pín)RF MEMS 器件
MEMS 環行器
1）高頻(pín)段：産品頻(pín)段6GHz~40GHz，填補小(xiǎo)型化毫米波頻(pín)段空白(bái)；
2）高功率：采用矽腔體(tǐ)結構，已實測結果:X、Ku頻(pín)段: 50W；Ka頻(pín) 段：20W；
3）低損耗：實測典型值0.4dB~0.5dB；
4）屏蔽性：采用矽腔體(tǐ)封裝結構，環境适應性好；
5）一(yī)緻性好：MEMS高精度加工(gōng)，批量一(yī)緻性好；
6）其他：具有抗幹擾能力強、機械特性優良等特點。
MEMS 隔離(lí)器
1）高頻(pín)段：産品頻(pín)段6GHz~40GHz，填補小(xiǎo)型化毫米波頻(pín)段空白(bái)；
2）高功率：采用矽腔體(tǐ)結構，已實測結果:X、Ku頻(pín)段: 50W；Ka頻(pín) 段：20W；
3）低損耗：實測典型值0.4dB~0.5dB；
4）屏蔽性：采用矽腔體(tǐ)封裝結構，環境适應性好；
5）一(yī)緻性好：MEMS高精度加工(gōng)，批量一(yī)緻性好；
6）其他：具有抗幹擾能力強、機械特性優良等特點。
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